全球 Galaxy S23 FE 搭载 Exynos 2200
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三星 Galaxy S23 FE 将于今年第三季度推出，作为 Galaxy S23 系列的重要成员，但看起来它不会在全球范围内统一采用相同的芯片组。
Geekbench 运行结果和官方支持页面显示 Galaxy S23 FE 将根据市场运行不同的芯片组。全球版本将搭载 4nm Exynos 2200 和 8GB RAM。该芯片组与 Galaxy S22 Ultra 相同，但因比高通制造的同类芯片组能效较低而受到批评。据报道，效率差异背后的主要原因是三星的4纳米制造工艺，其效率不如台积电的4纳米工艺。
顺便说一句，Galaxy S23 FE 的美国版本将基于 Snapdragon 8 Gen 1 芯片组的台积电 4nm 节点。它还将配备 8GB RAM。
人们普遍认为高通是更好的选择，以至于三星本周甚至在印度推出了搭载 Snapdragon 888 的 Galaxy S21 FE。
除了芯片组之外，Galaxy S23 FE 将配备 6.4 英寸 120Hz AMOLED 显示屏、4,500mAh 电池(25W 充电)和 50MP 主摄像头。
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