三星推出100层以上的第六代VNANDSSD

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三星表示，已开始大规模生产250GB SATA固态硬盘，单个V-NAND堆栈中包含100多个层。该公司声称，这是行业第一，这是由于其第六次使用第一代(1xx层)256千兆位三位V-NAND技术。

“凭借三星独特的‘通孔刻蚀’技术，新的V-NAND将之前9x层单层结构的单元数量增加了约40%。这是通过构建由136层组成的导电模具叠层，然后从上到下垂直穿透圆柱形孔，形成均匀的3D电荷陷阱闪光灯(CTF)单元来实现的，”三星说。

因此，新的固态硬盘将提供450毫秒的写入速度和45毫秒的读取响应时间，这归功于“速度优化的电路设计”，这显然克服了NAND驱动器可能面临的读取延迟和错误的漏洞。细胞面积增加。

有了这项技术，三星表示可以将目前的三个堆栈堆叠在一起，制造300层以上的V-NAND SSD。

三星电子解决方案部产品与开发执行副总裁Kye Hyun Kyung解释说：“通过将最先进的3D存储技术引入量产，我们可以及时推出存储阵容，并显著提高速度和电源效率。

“随着下一代V-NAND产品开发周期的加快，我们计划快速拓展我们的高速、大容量512Gb V-NAND解决方案的市场。”

有鉴于此，搭载第六代技术的250GB V-NAND SSD将是硬件厂商的第一代产品，随着2019年的上市，三星计划推出512Gb三位V-NAND SSD和eUFS。

因此，三星有望更快，产能更高，因为今年将进入一个寒冷的月份。

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